砂輪材料規格.形狀基本認識、標示
| 砂輪的標示、形狀基本認識 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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何謂CMP 研磨
- 化學機械抛光（研磨）
C--chymistry
M--mechanism
P--Polish
CMP 是哪三個英文單詞的縮寫？
Chemical Mechanical Polishing (化學機械研磨)
CMP是哪家公司發明的？
CMP是IBM在八十年代發明的。
簡述CMP的工作原理？
化學機械研磨是把芯片放在旋轉的研磨墊(pad)上，再加一定的壓力，用化學研磨液(slurry)來研磨的。
爲什幺要實現芯片的平坦化？
當今電子元器件的集成度越來越高，例如奔騰IV就集成了四千多萬個晶體管，要使這些晶體管能夠正常工作，就需要對每一個晶體管加一定的電壓或電流，這就需要引線來将如此多的晶體管連接起來，但是将這幺多的晶體管連接起來，平面布線是不可能的，隻能夠立體布線或者多層布線。在制造這些連線的過程中，層與層之間會變得不平以至不能多層叠加。用CMP來實現平坦化，使多層布線成爲了可能。
CMP在什幺線寬下使用？
CMP在0.25微米以下的制程要用到。
什幺是研磨速率（removal rate）?
研磨速率是指單位時間内研磨膜厚度的變化。
研磨液(slurry)的組成是什幺？
研磨液是由研磨顆粒(abrasive particles)，以及能對被研磨膜起化學反應的化學溶液組成。
爲什幺研磨墊(Pad)上有一些溝槽(groove)？
研磨墊上的溝槽是用來使研磨液在研磨墊上達到均勻分布，使得研磨後芯片上的膜厚達到均勻。
爲什幺要對研磨墊進行功能恢複(conditioning)?
研磨墊在研磨一段時間後，就有一些研磨顆粒和研磨下來的膜的殘留物留在研磨墊上和溝道内,這些都會影響研磨液在研磨墊的分布,從而影響研磨的均勻性。
什幺是blanket wafer ？什幺是pattern wafer ？
blanket wafer 是指無圖形的芯片。pattern wafer 是指有圖形的芯片。
Blanket wafer 與pattern wafer的removal rate會一樣嗎？
一般來說，blanket wafer 與pattern wafer的removal rate是不一樣的。
爲什幺Blanket wafer 與pattern wafer的removal rate會不一樣？
Blanket wafer 與pattern wafer的removal rate不一樣是由于pattern wafer上有的地方高，有的地方低，高的地方壓強(pressure)大，研磨速度大（回想Preston關系式）。而且，總的接觸到研磨的面積要比Blanket wafer接觸到研磨的面積要小，所以總的壓強大，研磨速度大。
在研磨後，爲什幺要對芯片進行清洗？
芯片在研磨後，會有大量的研磨顆粒和其它一些殘留物留在芯片上，這些是對後面的工序有害，必須要清洗掉。
CMP (process tool) 分爲幾類？
對不同膜的研磨，CMP分爲Oxide, W, Poly, Cu CMP等。
CMP常見的缺陷（defect）是什幺？
CMP常見的缺陷有劃傷(scratch), 殘留物(residue), 腐蝕（corrosion）.
W Remove Rate 用什幺方法來測？
W是指Tungsten (鎢), remove rate是指化學機械研磨速率，即單位時間内厚度的變化。由于鎢是不透光的物質，其厚度的測試需由測方塊電阻(sheet resistance or Rs)的機台來測量。
用來測定Oxide Thickness的方法是什幺？
由于二氧化矽(Oxide)是透明的，所以通常測量二氧化矽的厚度（Thickness）用橢偏光法。
爲什幺要測particle(塵粒)？
外來的particle對半導體器件的良率有很大的影響，所以在半導體器件的制造過程中一定要對塵粒進行嚴格的控制。
用光學顯微鏡檢查芯片的重點是什幺？
用光學顯微鏡（Optical Microscope or OM）可以觀察到大的缺陷如(1) 劃傷（scratch）,(2) 殘留物（residue）
CMP 區Daily monitor日常測機主要做哪些項目？
任何機台的特性（performance）會随時間的變化而變化。日常測機是用來檢測機台是否處于正常的工作狀态。CMP的日常測機通常要測以下一些項目：(1) removal rate (2) particle (3) uniformity
CMP區域哪些機台可以共享一種dummy wafer,哪些不能？
W DUMMY 隻能用于w機台，poly dummy 隻能用于poly機台，OXIDE dummy可以共享。
什幺是over polish?
化學機械研磨是去掉芯片上的膜的高低不平的部分，從而達到平坦化或所需要的圖形。如果研磨掉膜的厚度比預定的厚度要大，就叫overpolish。 Overpolish後的芯片是不可挽救的。
什幺是under polish?
如果研磨掉膜的厚度比預定的厚度要小，就叫underpolish。Underpolish後的芯片可以通過重新研磨來補救。
CMP 研磨機台由哪幾部分組成？
CMP機台由芯片機械傳送裝置，研磨和清洗等組成
CMP區域的consumables (易耗品)通常是指哪些？
CMP區域的consumables (易耗品)通常是指研磨液，研磨墊，清洗用的刷（brush）, diamond disk等。
希望對你有用。。。
Chemical Mechanical Polishing (化學機械研磨)
CMP是哪家公司發明的？
CMP是IBM在八十年代發明的。
簡述CMP的工作原理？
化學機械研磨是把芯片放在旋轉的研磨墊(pad)上，再加一定的壓力，用化學研磨液(slurry)來研磨的。
爲什幺要實現芯片的平坦化？
當今電子元器件的集成度越來越高，例如奔騰IV就集成了四千多萬個晶體管，要使這些晶體管能夠正常工作，就需要對每一個晶體管加一定的電壓或電流，這就需要引線來将如此多的晶體管連接起來，但是将這幺多的晶體管連接起來，平面布線是不可能的，隻能夠立體布線或者多層布線。在制造這些連線的過程中，層與層之間會變得不平以至不能多層叠加。用CMP來實現平坦化，使多層布線成爲了可能。
CMP在什幺線寬下使用？
CMP在0.25微米以下的制程要用到。
什幺是研磨速率（removal rate）?
研磨速率是指單位時間内研磨膜厚度的變化。
研磨液(slurry)的組成是什幺？
研磨液是由研磨顆粒(abrasive particles)，以及能對被研磨膜起化學反應的化學溶液組成。
爲什幺研磨墊(Pad)上有一些溝槽(groove)？
研磨墊上的溝槽是用來使研磨液在研磨墊上達到均勻分布，使得研磨後芯片上的膜厚達到均勻。
爲什幺要對研磨墊進行功能恢複(conditioning)?
研磨墊在研磨一段時間後，就有一些研磨顆粒和研磨下來的膜的殘留物留在研磨墊上和溝道内,這些都會影響研磨液在研磨墊的分布,從而影響研磨的均勻性。
什幺是blanket wafer ？什幺是pattern wafer ？
blanket wafer 是指無圖形的芯片。pattern wafer 是指有圖形的芯片。
Blanket wafer 與pattern wafer的removal rate會一樣嗎？
一般來說，blanket wafer 與pattern wafer的removal rate是不一樣的。
爲什幺Blanket wafer 與pattern wafer的removal rate會不一樣？
Blanket wafer 與pattern wafer的removal rate不一樣是由于pattern wafer上有的地方高，有的地方低，高的地方壓強(pressure)大，研磨速度大（回想Preston關系式）。而且，總的接觸到研磨的面積要比Blanket wafer接觸到研磨的面積要小，所以總的壓強大，研磨速度大。
在研磨後，爲什幺要對芯片進行清洗？
芯片在研磨後，會有大量的研磨顆粒和其它一些殘留物留在芯片上，這些是對後面的工序有害，必須要清洗掉。
CMP (process tool) 分爲幾類？
對不同膜的研磨，CMP分爲Oxide, W, Poly, Cu CMP等。
CMP常見的缺陷（defect）是什幺？
CMP常見的缺陷有劃傷(scratch), 殘留物(residue), 腐蝕（corrosion）.
W Remove Rate 用什幺方法來測？
W是指Tungsten (鎢), remove rate是指化學機械研磨速率，即單位時間内厚度的變化。由于鎢是不透光的物質，其厚度的測試需由測方塊電阻(sheet resistance or Rs)的機台來測量。
用來測定Oxide Thickness的方法是什幺？
由于二氧化矽(Oxide)是透明的，所以通常測量二氧化矽的厚度（Thickness）用橢偏光法。
爲什幺要測particle(塵粒)？
外來的particle對半導體器件的良率有很大的影響，所以在半導體器件的制造過程中一定要對塵粒進行嚴格的控制。
用光學顯微鏡檢查芯片的重點是什幺？
用光學顯微鏡（Optical Microscope or OM）可以觀察到大的缺陷如(1) 劃傷（scratch）,(2) 殘留物（residue）
CMP 區Daily monitor日常測機主要做哪些項目？
任何機台的特性（performance）會随時間的變化而變化。日常測機是用來檢測機台是否處于正常的工作狀态。CMP的日常測機通常要測以下一些項目：(1) removal rate (2) particle (3) uniformity
CMP區域哪些機台可以共享一種dummy wafer,哪些不能？
W DUMMY 隻能用于w機台，poly dummy 隻能用于poly機台，OXIDE dummy可以共享。
什幺是over polish?
化學機械研磨是去掉芯片上的膜的高低不平的部分，從而達到平坦化或所需要的圖形。如果研磨掉膜的厚度比預定的厚度要大，就叫overpolish。 Overpolish後的芯片是不可挽救的。
什幺是under polish?
如果研磨掉膜的厚度比預定的厚度要小，就叫underpolish。Underpolish後的芯片可以通過重新研磨來補救。
CMP 研磨機台由哪幾部分組成？
CMP機台由芯片機械傳送裝置，研磨和清洗等組成
CMP區域的consumables (易耗品)通常是指哪些？
CMP區域的consumables (易耗品)通常是指研磨液，研磨墊，清洗用的刷（brush）, diamond disk等。
希望對你有用。。。
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